05/07/2023-08:46:10
(Modification du message : 05/07/2023-08:58:07 par jsilvestre.)
RE: Prepre Sylvestre
(04/07/2023-23:50:06)6336A a écrit : Voici le schéma de L'Hiraga II : Montage base commune avec miroir de courant.
L'impédance d'entrée est de 27R. Celle de sortie 2,2K
Le gain à vide (sans cellule branchée) est de 77 soit 38dB. A = (2.2K //47K) / 27 = 77
Si nous prenons le même schéma, mais comme ceci, pour la simul:
Il circulera alors dans les 2 transistors un courant de l'ordre de 5mA.
L'impédance d'entrée passera alors à 5R. Celle de sortie à 680R.
Le gain à vide sera de 42dB. Il est de (680//47K) / 5 soit 134 = 42dB. Ce que la simul te confirmera.
Avec une cellule de 4R, (la zyx de grincheux par exemple) nous aurons pratiquement 37dB
Hélas, avec une cellule de 24R (la dv de grincheux également) nous aurons 27 dB (au lieu de 32 avec l'original)
Et avec une DL103 nous aurons 23 dB (au lieu de 30dB). Ceci à cause du pont diviseur en entrée.
Ce schéma convient bien mieux aux cellules de moins de 10R. Et en choisissant un transistor très silencieux, comme le ZTX951 ou le 851 son complémentaire qui ont un rbb' réellement inférieur à 2R pour un bruit de 0,2 nV √ Hz. Soit 4 fois moins qu'un MAT02 ou 03. Mais tout comme le 2SB737, il faut les faire fonctionner avec un Ic bien supérieur à 1mA. 5mA est un compromis.
Le bruit ramené à l'entrée passe de 1.1nV √ Hz à 400pF √ Hz, pratiquement divisé par 3 avec une cellule de 4R. A la simul, car à la mesure c'est l'enfer !
Donc, lorsque grincheux compare sa XV-1T avec la Zyx (4R 0,24mV), cette dernière avec son H2 ne joue pas à armes égales. Si il fait le montage ci-dessus, il pourra certainement mieux la juger. En tout cas, je préfère ce montage à l'original sur des cellules de faible impédance.
ce que tu nommes "gain à vide" est en fait le gain pour une cellule de résistance interne nulle. Il faudrait ajouter cette résistance dans le modèle de simulation.
Pas de diviseur de tension dans ce circuit. Pas fait le calcul mais les différences de gain que tu annonces sont certainement dues en partie à la résistance dans le collecteur de valeur plus faible.
J'ai fait un petit dessin tout simple pour illustrer le fonctionnement, en ajoutant la résistance interne de la cellule tu devrais tomber sur les mêmes résultats :
joël
(05/07/2023-07:11:03)bebege a écrit : J’ai testé le bc560 (réalisé dans les années 90, tellement mauvais que je suis passé aux transfos), le 2sb737, 2sa872, 2sa1316, et enfin mat-03 et Sam 2220.
Mon préféré reste le mat-03 à l’écoute.
J’avoue que la notion de bruit m’échappe un peu.
Je réalise pourtant certains réglages au casque.
a+
les affaires de bruits sont un peu pas simples voire pas simples du tout!
Possible que le boitier métallique du MAT03 soit un avantage du coté de la thermique de l'auto échauffement. L'ajout d'un transistor cascode aide bien dans ce sens.
Un gros avantage des transistors doubles de précision est la stabilité de la tension d'offset d'entrée, tension qui est directement injectée dans la bobine de la cellule.
1°C de différence de température sur les transistors c'est 2mV d'offset injecté.
Autant éviter...
joël
