Ne pas confondre rapport signal sur bruit, c'est-à-dire rapporté au signal max, et niveau de bruit en dBV, tout de même.
La densité de bruit thermique aux bornes d'une résistance R (bruit de Johnson), exprimée en nanoVolts par racine de Hz, est de 0,13 x racine de R.
Sur la plage de fréquence 20-20000 Hz, le bruit thermique propre de cette résistance est de 18 nV x racine de R.
Si on considérait que l'impédance d'une cellule était assimilable à une résistance, ce qui est très simplificateur :
Pour une MM de 47000 Ohms produisant 5 mV, le S/N max théorique sera de 62 dB.
Pour une MC de 100 Ohms produisant 0,5 mV, ce chiffre passerait à 89 dB.
Le préampli évoqué ne dégrade donc le S/N de la cellule elle-même que de 3 dB.
Pascal
La densité de bruit thermique aux bornes d'une résistance R (bruit de Johnson), exprimée en nanoVolts par racine de Hz, est de 0,13 x racine de R.
Sur la plage de fréquence 20-20000 Hz, le bruit thermique propre de cette résistance est de 18 nV x racine de R.
Si on considérait que l'impédance d'une cellule était assimilable à une résistance, ce qui est très simplificateur :
Pour une MM de 47000 Ohms produisant 5 mV, le S/N max théorique sera de 62 dB.
Pour une MC de 100 Ohms produisant 0,5 mV, ce chiffre passerait à 89 dB.
Le préampli évoqué ne dégrade donc le S/N de la cellule elle-même que de 3 dB.
Pascal