Cherchons 2 paires appairées de 2SK170GR/2SK74GR

[François-D]

merci pour l'explication, c'est un peut moins flou
les valeurs de résistances sont bonne dans le cas du 8 watts HIRAGA.
merci Joel bonne fin de journée
François DEHERRIPONT

J'ai regardé l'article original de l'audiophile mais pas vu d'indications quant au tri des jfets. Il est juste indiqué que le courant dans le cascode est de l'ordre de 0.9mA à 1mA. Cela me semble faible, le courant de repos de l'étage de sortie serait alors autour de 0.4A ce qui parait faible pour un fonctionnement en classe A jusqu'à 8 watts sous 8Ω . Autour de 1 ampère serait une meilleure valeur. Si tu as d'autres écrits avec plus d'informations sur ce point?
Le schéma B avec les valeurs indiquées va faire l'affaire. La valeur de la résistance en série avec le Drain de 1KΩ n'est pas critique elle sert à limiter le courant si d'aventure le jfet était inséré à l'envers lors du test. 1KΩ c'est pratique pour avoir le courant en mesurant seulement la chute de tension à ses bornes. La tension mesurée divisée par 1000 donne le courant.
joël

Bonjour Joël  merci pour ces précisions non je n'ai pas plus 'info concernant. la seul info que j'ai c'est de Jean Hiraga qui préconise les FET d'entrée avec un IDSS inférieur a 1 mA.autre précision pour mesurer le schéma  voir photo c'est pour mesurer les FET N  et pour mesurer le FET P il me suffit d'inverser les polarité.Merci pour ton aidebonne journée
François DEHERRIPONT
Est ce que je peut avoir une réponse sur ma demande ci dessus en texte gras
bonne soirée
François DEHERRIPONT
Merci d'avance François

[jeanmichelb]

merci pour l'explication, c'est un peut moins flou
les valeurs de résistances sont bonne dans le cas du 8 watts HIRAGA.
merci Joel bonne fin de journée
François DEHERRIPONT

J'ai regardé l'article original de l'audiophile mais pas vu d'indications quant au tri des jfets. Il est juste indiqué que le courant dans le cascode est de l'ordre de 0.9mA à 1mA. Cela me semble faible, le courant de repos de l'étage de sortie serait alors autour de 0.4A ce qui parait faible pour un fonctionnement en classe A jusqu'à 8 watts sous 8Ω . Autour de 1 ampère serait une meilleure valeur. Si tu as d'autres écrits avec plus d'informations sur ce point?
Le schéma B avec les valeurs indiquées va faire l'affaire. La valeur de la résistance en série avec le Drain de 1KΩ n'est pas critique elle sert à limiter le courant si d'aventure le jfet était inséré à l'envers lors du test. 1KΩ c'est pratique pour avoir le courant en mesurant seulement la chute de tension à ses bornes. La tension mesurée divisée par 1000 donne le courant.
joël

Bonjour Joël  merci pour ces précisions non je n'ai pas plus 'info concernant. la seul info que j'ai c'est de Jean Hiraga qui préconise les FET d'entrée avec un IDSS inférieur a 1 mA.autre précision pour mesurer le schéma  voir photo c'est pour mesurer les FET N  et pour mesurer le FET P il me suffit d'inverser les polarité.Merci pour ton aidebonne journée
François DEHERRIPONT
Est ce que je peut avoir une réponse sur ma demande ci dessus en texte gras
bonne soirée
François DEHERRIPONT
Merci d'avance François

Bonjour,
pourquoi triturer ainsi une citation ?
C'est illisible !
Il suffit de répondre avec le bouton "Répondre" (surprise) et ensuite utiliser la zone de texte disponible.

Jean-Michel

[didierS]

Bonjour François,

L’information selon laquelle Jean HIRAGA aurait préconiser des transistors 2SJ74/2SK170 avec des valeurs Idss inférieures à 1 mA (à Vgs=0 V, donc) me semble erronée. Il serait alors impossible d’obtenir un courant de drain de cette même valeur avec Rs=50 Ω.

Où as-tu obtenu cette "information" ?

Cordialement,
Didier

Bonjour Didier,
Je le tiens directement de Jean, et je l’ai communiqué à François. C’est donc très fiable, s’agissant de faire évoluer légèrement ce montage déjà très performant d’origine.
Cordialement,
Christian.

Donc, il pourrait s'agir d'une erreur d'interprétation. 

Il n'est pas possible d'obtenir entre 0,9 et 1 mA dans Rd=1 kΩ avec un JFET dont la valeur Idss est inférieure à 1 mA (à Vgs=0 V) et Rs=50 Ω. Il est plus probable que Jean HIRAGA ait mentionné une valeur de courant in situ, pour une tension Vgs non nulle des JFET, avec Rs=50 Ω.

[begwanch]

Bonjour François,

L’information selon laquelle Jean HIRAGA aurait préconiser des transistors 2SJ74/2SK170 avec des valeurs Idss inférieures à 1 mA (à Vgs=0 V, donc) me semble erronée. Il serait alors impossible d’obtenir un courant de drain de cette même valeur avec Rs=50 Ω.

Où as-tu obtenu cette "information" ?

Cordialement,
Didier

Bonjour Didier,
Je le tiens directement de Jean, et je l’ai communiqué à François. C’est donc très fiable, s’agissant de faire évoluer légèrement ce montage déjà très performant d’origine.
Cordialement,
Christian.

Donc, il pourrait s'agir d'une erreur d'interprétation. 

Il n'est pas possible d'obtenir entre 0,9 et 1 mA dans Rd=1 kΩ avec un JFET dont la valeur Idss est inférieure à 1 mA (à Vgs=0 V) et Rs=50 Ω. Il est plus probable que Jean HIRAGA ait mentionné une valeur de courant in situ, pour une tension Vgs non nulle des JFET, avec Rs=50 Ω.

Bonsoir,
Bon il a bien parlé d’IDSS mais je vais lui demander, je suis incapable de répondre moi-même. Surtout que dans mon cas pour une mesure « in situ », l’ampli que j’ai construit il y a 25 ans est encore dans un garde-meuble actuellement…
Christian
PS: rectificatif - 35 ans !

[fildroit]

Au cas où il y aurait vraiment une erreur, je vous informe avoir des GR déjà mesurés et appaires. Ceux de l’atelier de Selectronic.

[jsilvestre]

Bonjour Joël  merci pour ces précisions non je n'ai pas plus 'info concernant. la seul info que j'ai c'est de Jean Hiraga qui préconise les FET d'entrée avec un IDSS inférieur a 1 mA.autre précision pour mesurer le schéma  voir photo c'est pour mesurer les FET N  et pour mesurer le FET P il me suffit d'inverser les polarité.Merci pour ton aide

Bonjour François,

il faudra alors utiliser le montage A donc sans la résistance de 50Ω dans la source du jfet. Celle de 1KΩ dans le drain peut rester comme protection en cas d'erreur de branchement.
J'ai regardé la fiche technique du 2SK170, le courant Drain Source varie pas mal avec la tension VDS, il serait bon de les mesurer avec la même tension que dans l'ampli.
C'est bien ça pour la mesure du canal P il suffit d'inverser les polarité de l'alimentation.

A l'époque les jfet utilisés étaient en version Y, IDSS compris entre 1 et 3mA, version arrêtée il y a déjà bien longtemps . L'IDSS des GR est compris entre 2.6 et 6.5mA donc trop élevé pour cette utilisation. 
En fouillant j'ai trouvé le data book Toshiba de l'époque avec page 693 le 2SK170 en version Y:

https://zorro.kozow.com/Documents/Toshib...r_1983.pdf

joël

[François-D]

Bonjour Joël  merci pour ces précisions non je n'ai pas plus 'info concernant. la seul info que j'ai c'est de Jean Hiraga qui préconise les FET d'entrée avec un IDSS inférieur a 1 mA.autre précision pour mesurer le schéma  voir photo c'est pour mesurer les FET N  et pour mesurer le FET P il me suffit d'inverser les polarité.Merci pour ton aide

Bonjour François,

il faudra alors utiliser le montage A donc sans la résistance de 50Ω dans la source du jfet. Celle de 1KΩ dans le drain peut rester comme protection en cas d'erreur de branchement.
J'ai regardé la fiche technique du 2SK170, le courant Drain Source varie pas mal avec la tension VDS, il serait bon de les mesurer avec la même tension que dans l'ampli.
C'est bien ça pour la mesure du canal P il suffit d'inverser les polarité de l'alimentation.

A l'époque les jfet utilisés étaient en version Y, IDSS compris entre 1 et 3mA, version arrêtée il y a déjà bien longtemps . L'IDSS des GR est compris entre 2.6 et 6.5mA donc trop élevé pour cette utilisation. 
En fouillant j'ai trouvé le data book Toshiba de l'époque avec page 693 le 2SK170 en version Y:

https://zorro.kozow.com/Documents/Toshib...r_1983.pdf

joël

bonjour, l'amplificateur est alimenté en +/- 12 volts je prend 12 volts pour la mesure.
Merci François DEHERRIPONT

[didierS]

Bonjour,

Voici une petite illustration de ce que pourrait donner un JFET d’entrée avec une valeur Idss=2,8 mA (à Vgs=0 V) :

   

La cible Id devrait se situer vers 1,3 mA, de manière à obtenir 1,3 V aux bornes de Rd (1 kΩ).

[jsilvestre]

bonjour, l'amplificateur est alimenté en +/- 12 volts je prend 12 volts pour la mesure.

Les transistors NPN et PNP en série avec les jfets sont des montages cascodes, ce sont eux qui fixent la tension sur les drains des jfets à environ 5V. Donc il faudrait alimenter le montage de test autour de 5V ou 6V avec la résistance de 1KΩ en série avec le drain.

joël

[begwanch]

bonjour, l'amplificateur est alimenté en +/- 12 volts je prend 12 volts pour la mesure.

Les transistors NPN et PNP en série avec les jfets sont des montages cascodes, ce sont eux qui fixent la tension sur les drains des jfets à environ 5V. Donc il faudrait alimenter le montage de test autour de 5V ou 6V avec la résistance de 1KΩ en série avec le drain.

joël

Bonjour à tous,
Ci-joint les réponses de Jean concernant son montage, comme convenu précédemment :      
   
« Ci-joint deux parties de l'article descriptif du Monstre. On voit que le trimmer est un Copal de 100 ohms. C'est surtout le passage à l'analyseur de spectre qui révèle le spectre de distorsion harmonique, avec un dégradé très régulier lorsqu'on choisit les séries Y. Ce choix résulte d'un pur hasard, sauf que c'était le bon. En 1982, après avoir acheté une dizaine de 2SK170GR/2SJ74GR, les dispersions étaient trop grandes. À Tokyo, chez Wakamatsu Tsusho, je me suis procuré deux lots de 100 pièces en série Y (des rebuts en quelque sorte), à un prix dérisoire.
Leur tri m'avait permis de trouver plusieurs très bonnes paires. Ses  composants, séries Y , transistors de sortie Toshiba et résistances au tantale ont été vendus pendant plusieurs années à La Maison de l'Audiophile, il y a quarante ans. Cela dit, même avec des séries GR, le circuit fonctionne très bien. Pour moi, l'utilisation des transistors de sortie Toshiba d'époque et la qualité des résistances est bien plus importante.
Un autre paramètre concernant la préférence pour les séries Y est que, plus la valeur du Idss est grande, plus le courant de fuite de grille Igs est grand. En passant de 3 mA à 1 mA, la valeur de Igs diminue beaucoup, avec un gain en transparence flagrant. À noter aussi que les bipolaires d'origine 2SA872 et 2SC1775 sonnent beaucoup mieux que ceux que l'on trouve aujourd'hui. On les reconnaît à des pattes de sortie et à un corps plus longs. »

Jean ajoute la confirmation de la valeur de 50 Ohms pour Rs celle et de la tension sur les drains des FET: 6 V.
 Enfin, le montage peut être poussé sans aller au-delà jusqu’à +/- 14V ce qui fournit alors 14 W.
Cordialement,
Christian