Je reviens sur la définition peu utilisée de la configuration émetteur commun :
Émetteur commun : sur schéma dynamique (alimentation shuntée) électrode commune à la tension d'entrée et à la tension de sortie.
Traversée par un courant provenant d'une source à haute impédance, on peut considérer la résistance Rcp comme une source de tension flottante (d'impédance modeste) reliant la base à l'émetteur, ce dernier est donc commun à la tension d'entrée et à la tension de sortie. Cela ne l'empêche pas de conserver sa propriété de suiveur de la tension de base.
J'ai simulé les schémas de Jsilvestre et ai buté sur l'inégalité des gains en tension de sortie des deux branches en l'absence de résistance d'émetteur pour le transistor NPN. En prenant une résistance interne d'émetteur de 2.9 Ω pour 10.3 mA de courant de repos dans les transistors NPN, le gain en tension calculé de la paire de transistors d'une branche (RB/Re * RS/RE) est de 1348 fois.
Il est de 451 et 571 fois sur mes schémas.
Avec l'insertion dans mes schémas d'une véritable résistance d'émetteur comme c'est le cas sur les schémas de Joël, les gains des deux branches se rapprochent sensiblement.
Je me suis posé la question de savoir si je ne faisais pas une grosse bourde quelque part mais ne suis pas arrivé à en déterrer une.
D'autres simulations ont donné des résultats intéressants :
- cascoder les transistors NPN améliore l'égalité de gain des branches.
- un montage en pont diminue sensiblement, de 3 à 4 fois, la distorsion par harmonique 2.
J'ai hélas effacé par erreur les fichiers.
Émetteur commun : sur schéma dynamique (alimentation shuntée) électrode commune à la tension d'entrée et à la tension de sortie.
Traversée par un courant provenant d'une source à haute impédance, on peut considérer la résistance Rcp comme une source de tension flottante (d'impédance modeste) reliant la base à l'émetteur, ce dernier est donc commun à la tension d'entrée et à la tension de sortie. Cela ne l'empêche pas de conserver sa propriété de suiveur de la tension de base.
J'ai simulé les schémas de Jsilvestre et ai buté sur l'inégalité des gains en tension de sortie des deux branches en l'absence de résistance d'émetteur pour le transistor NPN. En prenant une résistance interne d'émetteur de 2.9 Ω pour 10.3 mA de courant de repos dans les transistors NPN, le gain en tension calculé de la paire de transistors d'une branche (RB/Re * RS/RE) est de 1348 fois.
Il est de 451 et 571 fois sur mes schémas.
Avec l'insertion dans mes schémas d'une véritable résistance d'émetteur comme c'est le cas sur les schémas de Joël, les gains des deux branches se rapprochent sensiblement.
Je me suis posé la question de savoir si je ne faisais pas une grosse bourde quelque part mais ne suis pas arrivé à en déterrer une.
D'autres simulations ont donné des résultats intéressants :
- cascoder les transistors NPN améliore l'égalité de gain des branches.
- un montage en pont diminue sensiblement, de 3 à 4 fois, la distorsion par harmonique 2.
J'ai hélas effacé par erreur les fichiers.
Tout est difficile avant d'être simple. Thomas Fuller