Les mesures...
1/ Transcient sur 1V en entrée (puissance max)
En haut : 1V crête en entrée, 28V crête en sortie, 100W crête
En dessous : courant pilote du bias pour chaque branche
En dessous : Puissance dissipée dans les transistors de puissance. 30W crête max, profil typique d'un classe B.
En dessous : Marge de tension Vce pour les transistors de sortie : environ 3V
En dessous : Dissipation thermique des JFET d'entrée : variation ultra faible induite par le cascode M1 et M2 asservi au signal de sortie ==> disto thermique ultra faible
2/ Bande passante et stabilité
Tient toute la bande audio sans atténuation. Marge de phase sur 1nF en sortie, sans aucune compensation : environ 50°
3/ Offset et bias vers température
Bias en classe B OK à 2mA près entre 20 et 100°C
offset stable à 0.5mV près entre 20 et 100°C
4/ Distorsion
Distorsion Versus Puissance de sortie :
Distorsion vs Fréquence :
Pas top du tout. C'est dû au MOS utilisé dans l'étage VAS qui a une capacité parasite de 600pF. Pas bien pour une utilisation large bande, il faudra utiliser un MOS faible signal. Par contre pour une utilisation dans le grave c'est tout bon (disto minimale)
1/ Transcient sur 1V en entrée (puissance max)
En haut : 1V crête en entrée, 28V crête en sortie, 100W crête
En dessous : courant pilote du bias pour chaque branche
En dessous : Puissance dissipée dans les transistors de puissance. 30W crête max, profil typique d'un classe B.
En dessous : Marge de tension Vce pour les transistors de sortie : environ 3V
En dessous : Dissipation thermique des JFET d'entrée : variation ultra faible induite par le cascode M1 et M2 asservi au signal de sortie ==> disto thermique ultra faible
2/ Bande passante et stabilité
Tient toute la bande audio sans atténuation. Marge de phase sur 1nF en sortie, sans aucune compensation : environ 50°
3/ Offset et bias vers température
Bias en classe B OK à 2mA près entre 20 et 100°C
offset stable à 0.5mV près entre 20 et 100°C
4/ Distorsion
Distorsion Versus Puissance de sortie :
Distorsion vs Fréquence :
Pas top du tout. C'est dû au MOS utilisé dans l'étage VAS qui a une capacité parasite de 600pF. Pas bien pour une utilisation large bande, il faudra utiliser un MOS faible signal. Par contre pour une utilisation dans le grave c'est tout bon (disto minimale)