Etude d'un étage de sortie classe AB

[J-C.B]

Bonjour JCB,
Pas encore accès la page en question.
Sinon, concernant le mien, il y a effectivement deux choses perfectibles qui rend le circuit trop dépendant à la température et pour lequel des pistes étaient et sont toujours en réflexion :
- le courant de base des transistors de puissance (Q13 et Q14) vient perturber les équilibres. Un remplacement par un MOSFET règle le problème car au repos, le courant est nul, mais on perd en excursion car son Vgs est en série avec la tension de sortie de l'étage
- le fonctionnement "en miroir de courant" de  Q1/Q3 et Q2/Q4 au repos n'est pas top du point thermique car les Vce sont bien différents. Il est envisagé de passer à un montage à trois transistors et une diode pour aligner parfaitement les Vbe et ce qui va permettre de réduire la dissipation thermique du Q2 et Q4 en dynamique.

Avec ses dispositions, on doit pouvoir descendre  20mA de courant de repos.

Bonjour Jacquèse,
Je ne retrouve pas la copie du schéma russe. Comme à l'accoutumée, j'ai du broder dessus pour aboutir à un schéma qui me convienne. A savoir un ampli susceptible d'être utilisé pour l'asservissement en pression d'un HP. 
Ci joint un schéma possible.      
Ci joint aussi un zoom sur le courant traversant la charge dans la zone de recouvrement et    
dont la magnitude max varie de 0 à 9A par pas de 3.6A  ce qui signifie que 3 des relevés à plus forte pente sont en régime saturé.