Etude d'un étage de sortie classe AB
#7
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB
Grosse série de simulation permettant de caractériser ce circuit...

1/ Polarisations au repos

   

Le bias sur l'étage de sorties (Q13 et Q14) est de 85mA

2/ Stabilité en température - Offset et Bias

   

Bias entre 20 et 80°C : 2mA soit 2.5% de variation
Offset entre 20 et 80°C : 175uV à 225uV, super stable !

3/ Fonctionnement à 80W RMS sur 8 ohms

   

Résistance de l'étage : 3mA pour 36V soit  12K

4/ Bande passante et déphasage

   

Bande passante ultra large de plusieurs dizaines de MHz
Déphasage quasi nul jusque 5Mhz (charge résistive // 1nF)

5/ Facteur d'amortissement - Résistance de sortie - GM doubling

C'est obtenu en mesurant la variation de tension de sortie lorsqu'on injecte un sinus de 1A sur la sortie du circuit : la tension relevée est alors égale à la valeur de le résistance de sortie.

   

Résistance de sortie : 0.03 ohm
FA sur 8 ohms = 8 / 0.03 = 266
Pas de gm-doubling apparent sur la courbe (rouge), malgré un léger artefact au passage à 0.

6/ Distorsion sur signal stabilisé sinus

          
          

0.015% H3 en dégradé sur les harmoniques impaires
La valeur et le spectre de distorsion est stable quelle que soit la fréquence dans la bande audio (mesures à 25V :  20Hz, 1KHz, 20KHz)
La valeur et le spectre de distorsion est stable quelle que soit la tension en sortie. C'est un comportement entre la classe A (disto inversement proportionnelle à la puissance) et la classe AB (disto qui remonte à faible niveau du fait des problèmesde croisement et les blocages durs des transistors de sortie).
Répondre


Messages dans ce sujet
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB - par jacquese - 08/03/2026-23:27:37

Atteindre :


Utilisateur(s) parcourant ce sujet : 1 visiteur(s)