(17/02/2026-21:49:37)melbamel a écrit :(17/02/2026-14:51:01)lamouette a écrit : Et preuve qu'ils existaient puisque Melbamel s'en est servi. Preuve aussi que la mesure de THD ne voit pas grand chose.
preuve que l'écart est archi audible et spectaculaire: "Différence à lécoute puissance 10"
On est loin des différences entendues dans la simu.
Oui mais ça ne prouve pas que la cause soit la dérive thermique.
Je me trompe peut-être mais j'ai quand même un gros doute que ces dérives thermiques ne soient pas pris en compte pour l'élaboration d'un composant...
C'est physiquement impossible de faire un transistor au silicium ou au germanium absolument stable en température,N, P et N sont constitués d'alliage de métaux de nature différente qui ne réagissent pas également aux variations de température.
Des progrès ont été faits mais il n'y a pas de miracles, achètes 100 transistors BJT de bonne fabrication moderne et mesure les tous , il y aura pas mal de disparités, VBE, HFE et il faudra les vérifier sous température stabilisée.

