04/09/2024-16:58:18
RE: Kits Kaneda
Merci Gilles, j’ai déjà fait cette recherche (avec l’aide d’un VPN) sans obtenir le schéma du N°294, j’avais trouvé uniquement celui du N°293 sur lequel j’attends avec intérêt ton retour une fois ce dernier réalisé.
Les informations que j’ai pu glaner jusqu'ici sur le N°294 sont les suivantes (traduites en français) :
"Les différences avec le N°293 sont :
① Résistance de charge de l'amplificateur différentiel 6111
Le concept de conception consiste à améliorer les performances en augmentant le gain en boucle ouverte et en augmentant la quantité de NFB.
À cette fin, la valeur de la résistance de charge du premier étage a été fixée pour être supérieure à celle d'un amplificateur haute puissance.
② Méthode de compensation de température
Dans les amplificateurs de haute puissance, il a été inséré en parallèle avec la thermistance 200D5 du côté de l'alimentation, mais dans les amplificateurs de moyenne puissance j'ai ajouté une couche supplémentaire à cette structure.
Une thermistance supplémentaire est couplée thermiquement au côté conducteur du Darlington inversé.
③ Modifiez la valeur de résistance RE du TR pilote Darlington inversé
Cela a été modifié car le facteur de distorsion peut être amélioré en réglant la résistance de l'émetteur à 0Ω.
④ Diode Zener côté émetteur de l'amplificateur de courant du deuxième étage
Dans les amplificateurs de haute puissance, un HZ5C2 a été inséré entre les circuits à démarrage lent, mais cela a été remplacé par deux dans les amplificateurs de puissance moyenne.
⑤ Transistor Darlington inversé du dernier étage
Dans l'amplificateur haute puissance il s'agissait du 2SC1161, mais dans l'amplificateur moyenne puissance il a été remplacé par le 2SC959, qui a un Cob plus petit.
⑥ Nombre de transistors de sortie en parallèle
Dans l'amplificateur de puissance élevée, les transistors de sortie 2SA649 avait une configuration en parallèle (2x), mais dans l'amplificateur de puissance moyenne, un simple transistor 2SA649 a été retenu.
Bien que la configuration de base du circuit soit la même, la tension d'alimentation est inférieure et la difficulté de fabrication d'un amplificateur de moyenne puissance est légèrement inférieure à celle d'un amplificateur de haute puissance, on pense donc qu'il est plus facile à fabriquer. La disponibilité des principaux composants de l’amplificateur n’est pas bonne, donc seuls quelques chanceux pourront le réaliser dans cette configuration."
Les informations que j’ai pu glaner jusqu'ici sur le N°294 sont les suivantes (traduites en français) :
"Les différences avec le N°293 sont :
① Résistance de charge de l'amplificateur différentiel 6111
Le concept de conception consiste à améliorer les performances en augmentant le gain en boucle ouverte et en augmentant la quantité de NFB.
À cette fin, la valeur de la résistance de charge du premier étage a été fixée pour être supérieure à celle d'un amplificateur haute puissance.
② Méthode de compensation de température
Dans les amplificateurs de haute puissance, il a été inséré en parallèle avec la thermistance 200D5 du côté de l'alimentation, mais dans les amplificateurs de moyenne puissance j'ai ajouté une couche supplémentaire à cette structure.
Une thermistance supplémentaire est couplée thermiquement au côté conducteur du Darlington inversé.
③ Modifiez la valeur de résistance RE du TR pilote Darlington inversé
Cela a été modifié car le facteur de distorsion peut être amélioré en réglant la résistance de l'émetteur à 0Ω.
④ Diode Zener côté émetteur de l'amplificateur de courant du deuxième étage
Dans les amplificateurs de haute puissance, un HZ5C2 a été inséré entre les circuits à démarrage lent, mais cela a été remplacé par deux dans les amplificateurs de puissance moyenne.
⑤ Transistor Darlington inversé du dernier étage
Dans l'amplificateur haute puissance il s'agissait du 2SC1161, mais dans l'amplificateur moyenne puissance il a été remplacé par le 2SC959, qui a un Cob plus petit.
⑥ Nombre de transistors de sortie en parallèle
Dans l'amplificateur de puissance élevée, les transistors de sortie 2SA649 avait une configuration en parallèle (2x), mais dans l'amplificateur de puissance moyenne, un simple transistor 2SA649 a été retenu.
Bien que la configuration de base du circuit soit la même, la tension d'alimentation est inférieure et la difficulté de fabrication d'un amplificateur de moyenne puissance est légèrement inférieure à celle d'un amplificateur de haute puissance, on pense donc qu'il est plus facile à fabriquer. La disponibilité des principaux composants de l’amplificateur n’est pas bonne, donc seuls quelques chanceux pourront le réaliser dans cette configuration."
