12/05/2024-19:57:37
RE: Ad OHMinem 2
Bonsoir
Ce qui s’écrit comme ceci, sinon c’est faux.
Ic = Is*(e^(Vbe/Vt) - 1)
Les équations d’Ebers - Moll sont connues depuis les années 50, et s’enseignent également en université. Elles ne sont absolument pas en opposition avec « le vague gain β ou hfe » qui restent justes, mais vont de concert.
Dans cette formule, Vt est la tension thermique qui est proportionnelle à la température, on prend 26mV à t° ambiante.
Is est le courant de saturation inverse du transistor, soit environ 10fA pour un totor à petit signal. Ce courant est aussi fortement dépendant de la t°. Tout comme β, qui est aussi vague que Is et Vt.
On peut également écrire la tension base-émetteur Vbe en fonction du courant collecteur, ce qui nous donne : (C’est des maths, et il parait que c’est juste) :
Vbe = Vt * ln [(Ic/Is) + 1]
Mais Ic = β Ib et
∆Ic =β∆Ib =gm ∆Vbe
sont toujours vraies, et ne sont pas plus vagues que les équations d'Ebers et Moll.
D’ailleurs, les vraies équations non simplifiées sont :
Avec
Qui tiennent compte du β
βf étant le gain du transistor
βr le gain inverse du transistor.
Donc, rien, absolument RIEN de nouveau sous le soleil. Nada, comme dit W. Hill.
Parler de priorité de la tension plutôt que du courant dans un BJT revient à se poser la question de qui fut le premier entre la poule et l'œuf. Ça en devient risible.
On peut s'amuser avec ses équations, et constater qu'une augmentation de Vbe de 20mV par exemple double le courant collecteur. Pour 60mV d'augmentation, il est multiplié par 10.
Citation :œdicnèmeIl s’agit de, attention à l’écriture :
Comment le savoir ? je dirais que
la physique et les formules sont la clé. Dans le cas du transistor,
nous disposons de la physique de l'état solide qui se traduit
par les formules rigoureuses d'Ebers-Moll, avec leur prédiction précise
du courant de collecteur IC à partir de VBE, à savoir IC = IS (eVBE/VT -1),
par opposition au vague gain β ou HFE, si nous essayons d'utiliser
le courant pour la polarisation, etc.
Ce qui s’écrit comme ceci, sinon c’est faux.
Ic = Is*(e^(Vbe/Vt) - 1)
Les équations d’Ebers - Moll sont connues depuis les années 50, et s’enseignent également en université. Elles ne sont absolument pas en opposition avec « le vague gain β ou hfe » qui restent justes, mais vont de concert.
Dans cette formule, Vt est la tension thermique qui est proportionnelle à la température, on prend 26mV à t° ambiante.
Is est le courant de saturation inverse du transistor, soit environ 10fA pour un totor à petit signal. Ce courant est aussi fortement dépendant de la t°. Tout comme β, qui est aussi vague que Is et Vt.
On peut également écrire la tension base-émetteur Vbe en fonction du courant collecteur, ce qui nous donne : (C’est des maths, et il parait que c’est juste) :
Vbe = Vt * ln [(Ic/Is) + 1]
Mais Ic = β Ib et
∆Ic =β∆Ib =gm ∆Vbe
sont toujours vraies, et ne sont pas plus vagues que les équations d'Ebers et Moll.
D’ailleurs, les vraies équations non simplifiées sont :
Avec
Qui tiennent compte du β
βf étant le gain du transistor
βr le gain inverse du transistor.
Donc, rien, absolument RIEN de nouveau sous le soleil. Nada, comme dit W. Hill.
Parler de priorité de la tension plutôt que du courant dans un BJT revient à se poser la question de qui fut le premier entre la poule et l'œuf. Ça en devient risible.
On peut s'amuser avec ses équations, et constater qu'une augmentation de Vbe de 20mV par exemple double le courant collecteur. Pour 60mV d'augmentation, il est multiplié par 10.
Les mathématiques sont l'art de donner le même nom à des choses différentes. (Henri Poincaré)