24/08/2021-21:14:07
(Modification du message : 24/08/2021-21:24:46 par jsilvestre.)
RE: Le facteur d'amortissement idéal pour les nuls
(24/08/2021-12:09:38)JCB a écrit : Il s'agit de savoir, vers quel type de montage fondamental le schéma correspond.
Pour le fixer, il me semble qu'une mesure (simulée ou mesurée) de l'impédance de sortie, permettra de lever le doute. Si l'impédance est faible, le collecteur commun domine. A l'inverse si l'impédance est très élevée, c'est l'emetteur commun qui l'emporte.
Bonjour JCB,
faible ou élevée reste relatif!
Des simulations ont étés faites :
https://forums.melaudia.net/showthread.p...#pid171386
On voit que les résistances internes ne sont pas égales et dépendent fortement du courant. La variation en fonction du courant est une conséquence de l'effet Early, c'est les différences de pentes visibles au traceur de courbes.
Pour les courants faibles la différence entre le haut et le bas atteint presque un rapport 3 puis elle s'atténue.
Ceci s'explique par le fait que la résistance de la moitié du bas ne dépend que du transistor de sortie alors que celle du haut est la mise en parallèle des résistances du transistor de sortie et de celle de l'étage précédent ramenée sur l’émetteur du transistor de sortie.
Tu dois certainement savoir que dans un montage collecteur commun la résistance vue de l’émetteur est celle vue par la base divisée par le gain en courant du transistor. Donc si le gain en courant du transistor est faible et que la résistance vue par la base est élevée alors la résistance vue de l’émetteur ne sera pas vraiment faible. Plus faible que celle vue par la base, c'est ça sur!
Dans le cas présent la résistance vue par la base est plutôt élevée, petit transistor fonctionnant sous un courant faible et présence d'une résistance de dégénération dans l’émetteur.
On a vu ici : https://forums.melaudia.net/showthread.p...#pid171474 que la présence de la résistance défini le gain en courant qui vaut RB/RE en notant que dans RE il faut ajouter la résistance interne de l'émetteur qui est importante pour les faibles courants collecteurs.
La résistance résultante ne sera pas vraiment faible, pour avoir des valeurs il faut passer par le simulateur mais il faut s'attendre à plusieurs centaines d'ohms.
Lorsque le courant collecteur devient plus important la résistance du transistor de sortie devient prépondérante et les valeurs des 2 moitiés se rejoignent.
joël
(24/08/2021-12:15:13)1418 a écrit : la loi des mailles si je me souviens bien de son nom
Bonjour Joël,
Lois de Kirchoff: loi des mailles et loi des nœuds. J'en ai souffert, il y a quelques décennies !
Cordialement
Pierre
Bonjour Pierre,
c'est ça merci!
joël
(24/08/2021-18:39:57)JM Plantefeve a écrit : Sur le montage Spice en amont, quand le courant en sortie sur charge de 8Ω est de 3A crête à crête, le courant crête à crête dans R10 est de 0,001A. 0,3% : la différence qui change tout ?
Peut importe la valeur du courant, en supprimant la résistance RB il serait encore bien plus faible mais cela n'en ferait pas un émetteur commun pour autant!
La différence est dans le fait qu'en tenant compte de la loi des mailles la tension de sortie est dans la boucle d'entrée et donc que la transformation collecteur commun vers émetteur commun ne peut être faite.
Pas d'accord?
joël