Le facteur d'amortissement idéal pour les nuls

[jsilvestre]

Quelques précisions supplémentaires sur le gain en tension des 2 moitiés:

D'abord la moitié du bas :

   

Le gain en tension est fourni par les 2 étages autour de Q1 et Q2.
En idéalisant les transistors on peut dire que le gain en tension d'un montage émetteur commun est la résistance de charge du collecteur divisée par la résistance vue par l’émetteur.
Pour Q1 cela donne RB/Re, pour Q2 RS/RE.
Le gain total vaut : RB/Re x RS/RE

Puis la moitié du haut :

   

Le gain en tension est fourni entièrement par le premier étage autour de Q1, pareillement il vaut la résistance vue par le collecteur divisée par Re.
On a vu ici : https://forums.melaudia.net/showthread.p...#pid171474 que la résistance d'entrée de l'étage autour de Q2 vaut RS x RB/RE.
Le gain vaut alors (RS x RB/RE) / Re
En secouant un peu l'équation on arrive à RB/Re x RS/RE , ce qui est exactement la même équation que celle du gain de la moitié du bas.

Et c'est rassurant puisque c'est le résultat obtenu en raisonnant par les miroirs de courant avec du gain et par les simulations et mesures.

Donc pas besoin de tordre un principe de base pour arriver au bon résultat.

Ce n'est qu'une analyse grossière et basique, en creusant plus les différences entre les deux moitiés vont apparaître, comme on peut le voir ici : https://forums.melaudia.net/showthread.p...#pid171386

Il faudrait aller encore plus avant, le fait que le gain en tension soit fourni par un seul transistor dans un cas et par 2 dans l'autre va créer des différences.

joël