Bonjour Hervé,
J'ai un problème avec tes conclusions d'hier.
Avec les données que j'ai prises pour mes simulations
courant de repos Ic ~ 1 mA,
résistance de dégénération Rg = 0
puis Rg ~ 225 Ω (9 fois le résistance de sortie de l'émetteur),
il faut effectivement, pour retrouver le même courant de sortie qu'avec Rg = 0,
dix fois plus de tension d'entrée quand l'émetteur est avec dégénération de 225 Ω.
Mais dans ce cas, il présente tout de même une distorsion dix fois moins élevée.
Résumé :
gm étant la transconductance du circuit
Vb = 1 mV, Rg = 0 Ω -> Ic = 39.8 µA, gm = 39.8 mA/V, disto = 1.328%
Vb = 1 mV, Rg = 225 Ω -> Ic = 3.97 µA, gm = 3.97 mA/V, disto = 0.013%
Vb = 10 mV, Rg = 225 Ω -> Ic = 39.7 µA, gm = 3.97 mA/V, disto = 0.132%
A+
J'ai un problème avec tes conclusions d'hier.
Avec les données que j'ai prises pour mes simulations
courant de repos Ic ~ 1 mA,
résistance de dégénération Rg = 0
puis Rg ~ 225 Ω (9 fois le résistance de sortie de l'émetteur),
il faut effectivement, pour retrouver le même courant de sortie qu'avec Rg = 0,
dix fois plus de tension d'entrée quand l'émetteur est avec dégénération de 225 Ω.
Mais dans ce cas, il présente tout de même une distorsion dix fois moins élevée.
Résumé :
gm étant la transconductance du circuit
Vb = 1 mV, Rg = 0 Ω -> Ic = 39.8 µA, gm = 39.8 mA/V, disto = 1.328%
Vb = 1 mV, Rg = 225 Ω -> Ic = 3.97 µA, gm = 3.97 mA/V, disto = 0.013%
Vb = 10 mV, Rg = 225 Ω -> Ic = 39.7 µA, gm = 3.97 mA/V, disto = 0.132%
A+