Répétition et résumé, avec quelques modifications, des posts précédents.
La simulation montrée dans le post #139 et reproduite avec quelques retouches ici amène à une constatation inattendue, du moins pour moi.
Deux transistors placés dans des conditions identiques (à 0.35% près) en continu (DC) et en alternatif (AC)
- de courant collecteur DC et AC,
- de tension collecteur-émetteur DC et AC,
- de tension base-émetteur DC et AC,
ont une même transconductance (à distinguer de celles des circuit complets).
Dans la simulation , T1 a son émetteur à la masse.
T2 voit le sien doté d'une résistance dégénérative.
Pour retrouver une même tension alternative Vbe pour les deux transistors, le niveau du signal d'entrée (vg10) du second a été multiplié par 10.
![[Image: attachment.php?aid=27615]](https://forums.melaudia.net/attachment.php?aid=27615)
Malgré leurs conditions de travail identiques, les chiffres de distorsion harmonique des courants-collecteur de T1 et T2 différent selon la charge de l'émetteur.
Comment l'expliquer ?
La simulation montrée dans le post #139 et reproduite avec quelques retouches ici amène à une constatation inattendue, du moins pour moi.
Deux transistors placés dans des conditions identiques (à 0.35% près) en continu (DC) et en alternatif (AC)
- de courant collecteur DC et AC,
- de tension collecteur-émetteur DC et AC,
- de tension base-émetteur DC et AC,
ont une même transconductance (à distinguer de celles des circuit complets).
Dans la simulation , T1 a son émetteur à la masse.
T2 voit le sien doté d'une résistance dégénérative.
Pour retrouver une même tension alternative Vbe pour les deux transistors, le niveau du signal d'entrée (vg10) du second a été multiplié par 10.
Malgré leurs conditions de travail identiques, les chiffres de distorsion harmonique des courants-collecteur de T1 et T2 différent selon la charge de l'émetteur.
Comment l'expliquer ?