Bonjour Jean-Marc,
Pour éviter de dérégler les polarisations de certains circuits, il m'arrive d'utiliser des capacités de 100 TF (sans résistance de fuite bien sûr, le luxe insensé de la simulation...), visant une impédance nulle tout en gardant une résistance infinie en courant continu. Cela a le défaut de parfois dépasser les possibilités en calcul du programme.
Dans le circuit que je montre, une valeur de 1F donne une différence de courant 77 pA avec un branchement direct de l'émetteur à la masse
Cdt.
JM Plantefeve a écrit :Mais la résistance d'émetteur de T3 (Rg3) a été judicieusement choisie pour...Y-a-t-il ambiguïté avec la résistance interne de l'émetteur ? Pour l'éviter, dois-je écrire résistance de charge ou de dégénération d'émetteur ?
Je me demande si Rg3 est vraiment une résistance d'émetteur.
Citation :Celle-ci a beau être la même pour T1 et T3, la distorsion du courant collecteur du second est le dixième du premier.Une valeur extravagamment irréaliste.
Quelle valeur à Cg1 ?
Pour éviter de dérégler les polarisations de certains circuits, il m'arrive d'utiliser des capacités de 100 TF (sans résistance de fuite bien sûr, le luxe insensé de la simulation...), visant une impédance nulle tout en gardant une résistance infinie en courant continu. Cela a le défaut de parfois dépasser les possibilités en calcul du programme.
Dans le circuit que je montre, une valeur de 1F donne une différence de courant 77 pA avec un branchement direct de l'émetteur à la masse
Cdt.