Etude d'un étage de sortie classe AB
#1
Etude d'un étage de sortie classe AB
Bonjour,

Je propose sur ce nouveau fil de discussion l'étude d'un étage de sortie en classe AB performant (du moins j'espère).

Il existe de nombreuses solutions avec, selon moi, pour toutes celles que j'ai pu analyser, pas mal de défaut : asservissement à constante de temps trop longue avec son horrible capteur de température, distorsion élevée, transition dur, gm doubling, etc.

Là c'est sans filet : je démarre à peine l'étude basée sur un principe dont je ne saurais vous dire s'il est original étant donné que je n'ai pas analysé toutes les solutions existantes, lesquelles doivent bien se compter par centaines.

Ca fait pas mal de temps que je cherche une solution en partant toujours du même principe : acquérir la valeur de courant circulant dans chaque branche d'un push-pull en émetteur commun pour jouer sur le bias de cet étage. Toutes mes tentatives se sont soldées par des usines à gaz au résultat trop aléatoires. Dernièrement je me suis dis : pourquoi ne pas acquérir le signal qui va réellement dans la charge au lieu de "senser" les courants qui parcourent chaque branche et fournir juste le courant qui va bien dans chaque branche ? ; dans un approche current dumping en série avec un étage d'amplification de tension.

J'ai finalement abouti à ce schéma de principe qui est  la base de travail de cette étude :

   

Le principe de fonctionnement est le suivant : le courant que la source fournit dans la charge pilote via Q3 et Q4 deux multiplicateurs de courants (ici x100). Chacun des transistors Q3 et Q4 pilote le courant de sa branche (F1 et F2). Ces deux transistors agissent indépendamment l'un de l'autre ce qui évite les problèmes de mode commun dans le contrôle du bias.
Les sources de courant I3 et I4 avec Q1 et Q2 ont pour rôle de polariser les transistors Q3 et Q4.
Les sources de courants F1 et F2 sont des multiplicateurs sans offset ce qui permet de réduire le courant de bias en jouant uniquement sur le courant au repos fournis par Q3 et Q4. Pour le développement d'une solution opérationnelle il faudra donc réussir à faire un multiplicateur de courant de puissance capable de fournir plusieurs ampères qui ait de bonnes performances et qui ne parte pas en live du fait de la thermique des transistors.

Le graphe suivant montre le fonctionnement du circuit :

   

On voit que ce sont des transistors Q3 / Q4 qui pilotent le fonctionnement en classe AB. l'avantage est que la commutation est douce, bien aidée par le fait que ce sont des transistors moyenne puissance dont les charges stockées son faibles : 
 - courbes du haut : tension d'entrée et tension de sortie (gain unitaire : elles sont superposées)
 - courbe du milieu : courant prélevé à la source
 - courbes du bas : courant de consigne pour les multiplicateurs de courant de chaque branche.

Le gain de la boucle d'asservissement de chaque branche est fixé par R1 qui "mesure" le courant fourni par la source de tension d'entrée. Plus R1 est grand plus le gain de boucle est élevé et moins la source doit fournir de courant. Sur cette simulation c'est 100 ohms et la source ne doit alors fournir que quelques milliampères compatibles avec un fonctionnement de cette dernière en classe A.

Le choix du bias au repos : il est défini par le rapport entre les sources de courants alimentant les collecteurs de  Q1/Q2 et les collecteurs de Q3/Q4. Mesure du bias au simulateur en fonction de la valeur de I1 et I2 pour I3 et I4 à 5mA.

   
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#2
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB
Que pourrait-on obtenir côté distorsion :

35V sinus sur 8 ohms  : 0.013% dégradé H3 déscendant

   

4V sinus sur 8 ohms  : 0.008% dégradé H3 déscendant

   

35V sinus sur 8 ohms  : 0.00005% dégradé H3 déscendant

   


Je rappelle que ce n'est que le schéma de principe, avec des sources de courants parfaites et des multiplicateurs de courant parfaits aussi. dans un circuit complet il faudra faire avec les composants, la compensation du gain de boucle qui jouera sur les perfs,  etc.
D'un autre côté, c'est avant application d'une contre-réaction dans un amplificateur complet.
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#3
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB
On peut aussi placer des diodes dans les émetteurs des trans de sortie:  zener à 0,6v , ultra stable ..  Wink
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#4
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB
(08/03/2026-21:53:00)Wagtbtoobz a écrit : On peut aussi placer des diodes dans les émetteurs des trans de sortie:  zener à 0,6v , ultra stable ..  Wink

Salut Wagtbtoobz,

Tu parles de ce schéma ou dans le cas général d'un PP à émetteur commun ? Qu'est ce qui devient stable ?
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#5
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB
Première implémentation du schéma de principe.

   

Quelques explications :
  • circuit autour de Q5, Q6, Q7, Q8 : ce sont les sources de courant pour la polarisation de de Q1 et Q2
  • Le multiplicateur de courant : il est bâti (pour la branche du haut) sur Q9, Q11, et Q13 avec les résistances R6, R8, R11. Le courant arrivant sur collecteur Q9 et base Q13 est le courant d'entrée. Le courant de sortie est sur collecteur de Q13. Il est globalement fixé par le rapport entre R6 et R11. Le gain en courant est de 100 (sans compter les pertes à cause du courant de base de Q13). R9 permet de fixer le courant de repos (contrairement au schéma de principe, c'est le courant qui traverse R9 qui définit le courant de repos (relativement au courant passant dans R33). Au niveau thermique c'est excellent : les deux transistors Q9 et Q11 on un Vce quasi identique à environ 600mV, ce qui permet de fixer un courant de repos quasi indépendant de la température

Pour les simulations (à venir) :
 - Q5,Q6, Q7, Q8 --> BC327 et BC337
 - Q1, Q2, Q3, Q4, Q9, Q10, Q11, Q12 --> BD135 et BD 136
 - Q13 et Q14 --> D44H11 et D45H11

Le schéma ne nécessite pas en l'état d'une compensation en fréquence sur charge résistive (à voir intégré dans un schéma d'ampli complet)
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#6
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB
(08/03/2026-21:57:56)jacquese a écrit : WagtbtoobzOn peut aussi placer des diodes dans les émetteurs des trans de sortie:  zener à 0,6v , ultra stable ..  Wink

Salut Wagtbtoobz,

Tu parles de ce schéma ou dans le cas général d'un PP à émetteur commun ? Qu'est ce qui devient stable ?

en général, mais ton croquis me rappelait ce cas. La tension BE en sortie devient indépendante de la charge , en particulier à la résonance des transducteurs. Avec les OTLs à tubes, il se passe la même chose : la tension des grilles de commande demeure stable, sans influence subie par la variation de Zload.
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#7
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB
Grosse série de simulation permettant de caractériser ce circuit...

1/ Polarisations au repos

   

Le bias sur l'étage de sorties (Q13 et Q14) est de 85mA

2/ Stabilité en température - Offset et Bias

   

Bias entre 20 et 80°C : 2mA soit 2.5% de variation
Offset entre 20 et 80°C : 175uV à 225uV, super stable !

3/ Fonctionnement à 80W RMS sur 8 ohms

   

Résistance de l'étage : 3mA pour 36V soit  12K

4/ Bande passante et déphasage

   

Bande passante ultra large de plusieurs dizaines de MHz
Déphasage quasi nul jusque 5Mhz (charge résistive // 1nF)

5/ Facteur d'amortissement - Résistance de sortie - GM doubling

C'est obtenu en mesurant la variation de tension de sortie lorsqu'on injecte un sinus de 1A sur la sortie du circuit : la tension relevée est alors égale à la valeur de le résistance de sortie.

   

Résistance de sortie : 0.03 ohm
FA sur 8 ohms = 8 / 0.03 = 266
Pas de gm-doubling apparent sur la courbe (rouge), malgré un léger artefact au passage à 0.

6/ Distorsion sur signal stabilisé sinus

          
          

0.015% H3 en dégradé sur les harmoniques impaires
La valeur et le spectre de distorsion est stable quelle que soit la fréquence dans la bande audio (mesures à 25V :  20Hz, 1KHz, 20KHz)
La valeur et le spectre de distorsion est stable quelle que soit la tension en sortie. C'est un comportement entre la classe A (disto inversement proportionnelle à la puissance) et la classe AB (disto qui remonte à faible niveau du fait des problèmesde croisement et les blocages durs des transistors de sortie).
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#8
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB
Bonjour Jacquèse,
Ce que tu développes est quasi identique à ce que propose un russe sur ce site : https://nanbaby.ru/vyhodnye-kaskady-usil...shchnosti/ . Il est, malheureusement, pour les causes géopolitiques que nous connaissons, actuellement indisponible.
J'ai tenté la simulation du montage et ça marche pour des valeurs de courant de repos relativement élevés. Pour des courants de l'ordre de 20mA et une immunité thermique sur une large gamme thermique, la mise au point est plus délicate.
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#9
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB
Bonjour JCB,
Pas encore accès la page en question.
Sinon, concernant le mien, il y a effectivement deux choses perfectibles qui rend le circuit trop dépendant à la température et pour lequel des pistes étaient et sont toujours en réflexion :
- le courant de base des transistors de puissance (Q13 et Q14) vient perturber les équilibres. Un remplacement par un MOSFET règle le problème car au repos, le courant est nul, mais on perd en excursion car son Vgs est en série avec la tension de sortie de l'étage
- le fonctionnement "en miroir de courant" de  Q1/Q3 et Q2/Q4 au repos n'est pas top du point thermique car les Vce sont bien différents. Il est envisagé de passer à un montage à trois transistors et une diode pour aligner parfaitement les Vbe et ce qui va permettre de réduire la dissipation thermique du Q2 et Q4 en dynamique.

Avec ses dispositions, on doit pouvoir descendre  20mA de courant de repos.
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#10
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB
Bonsoir jacquese,
Hier je m'attardais sur ce schéma... notamment sur le circuit de contre-réaction en mode commun mis œuvre ...
- Il n'a probablement rien à voir avec ton étude. Angel
   
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