Note 16/02 11:45
Ce post et ses figures ont été modifiées ce matin.
CONTRE REACTION LOCALE PAR RESISTANCE D'EMETTEUR
Il aurait été préférable que j'aborde cet aspect de la contre-réaction plus tôt.
J'ai en projet de reprendre l'ensemble des chapitres dans un ordre plus logique
pour en faire un seul document au format PDF.
![[Image: attachment.php?aid=27586]](https://forums.melaudia.net/attachment.php?aid=27586)
L'étude qui suit a commencé par la détermination de la résistance de sortie de
l'émetteur d'un transistor bipolaire.
La valeur généralement donnée pour 1 mA de courant de repos est d'environ 26 Ohm.
En continu
Il m'est apparu qu'une valeur particulière du courant de repos dans un schéma élémentaire faciliterait
l'observation de l'effet des résistances dégénératives. Aussi ai-je cherché le courant de repos qui donnait
une résistance interne de l'émetteur d'exactement 25 Ω.
Pour cela, la source de courant constant
Is qui détermine le courant continu dans le transistor
a été réglée de façon à ce que, quand cet émetteur n'est pas chargé (circuit autour de
T1),
sa tension soit double de ce qu'elle est quand il est chargé par 25 Ω.
Ainsi quand le commutateur du circuit autour de
T2 est en position
vg01,
la tension d'émetteur
ve2 qui est 999.633 µV est déconnectée passe à 499.819 µV
quand elle est reconnectée.
Ce résultat est obtenu pour un réglage à 1.0431 mA de la source de courant constant.
Il faut bien sûr qu'il ne passe aucun courant continu dans la résistance d'émetteur
Rg.
Un réglage précis de la tension de base par
vbb a permis d'obtenir un courant continu de l'émetteur
vers la masse inférieur à 80 pA dans les quatre cas étudiés.
Il peut s'avérer judicieux de mettre un condensateur de capacité gigantesque (magie de la simulation)
en série avec Rg quand celle-ci a une valeur nulle car la source de courant constant ne joue alors
plus aucun rôle.
Les trois transistors du schéma sont mis dans les mêmes conditions de courant de repos,
de tension collecteur-émetteur (
Vce) et de température
En alternatif
Circuit T2
Lorsqu'ils sont alimentés par la même tension
vg1, le circuit de
T2 présente
un courant de collecteur moitié du circuit de
T1 ; sa distorsion harmonique a été divisée par 4.
On peut rétablir le même courant collecteur dans
T2 en doublant la tension d'entrée (commutateur
en position
vg02). Par contre la distorsion harmonique ne retrouve pas la valeur du circuit de
T1,
elle n'en est que moitié.
Circuit T3
Pour le circuit de T3, la tension d'entrée (
vg3) est augmentée à 10 mV et la résistance dégénérative
d'émetteur (
Rg3) à 225.82 Ω. Celle-ci constitue avec la résistance interne de l'émetteur de 25 Ω un diviseur
de tension qui donne une tension d'émetteur Ve3 de 9 mV.
La différence de potentiel entre la base et l'émetteur (
Vbe3) est donc de 1 mV, le courant de collecteur
Ic3
qui en résulte est le même que celui de T1 mais sa distorsion harmonique est dix fois moindre.
Il me semble exact de dire que, pour un courant donné du transistor, la résistance dégénérative modifie
la transconductance du circuit mais non celle propre au transistor.
Cela peut paraître évident mais il n'était par superflu d'en faire la vérification.
NB La seconde image en pièce jointe est une version plus nette que celle insérée ci-dessus.
