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. - zeroundemi - 05/10/2023

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RE: Ad OHMinem - œdicnème - 06/10/2023

Les transistors bipolaires sont-ils commandés par leur courant de base ou par leur tension entre base et émetteur ?
Tensions et courants continus sur ces croquis. Résultats en bleu.

[Image: kjFLsame_o.jpg]


RE: Ad OHMinem - Lna - 06/10/2023

(05/10/2023-13:09:24)Bonjour, bonsoir,œdicnème a écrit : a écrit : "Heureusement, le remplacement de la résistance par une diode rétablit 
la suprématie de la tension par une démonstration.
On applique à ses bornes une tension (dans le bon sens)
que l'on fait varier.
En dessous d'une certaine valeur de cette tension, 
aucun courant ne traverse la diode.
A partir d'un certain seuil, un courant s'établit, qui augmente rapidement 
avec l'élévation de la tension."

Juste mon humble petit opinion.
Je me suis retournée la tête depuis un moment, j'aime bien les jeux d'esprit mais je ne trouvais pas l'astuce.

Question diode comme donné en exemple.
Ben il y a déjà le début d'un début de problème dans ce postulat. Le plan physique et déjà problématique avant d'arriver au monde electronique. On peut changer la composition du semi-conducteur ou faire varier la température et le band gap va varier aussi. Si on refroidit à moins diz ou moins quinze on arrive à la supra conduction... Fabrication de nouveau semi-conducteur en supra conducteurs! Diode à effet tunnel existe aussi.
On change le cadre et d'autres choses pilotent la situation. A ce petit jeu on n'en sort jamais...

Bon j'arrête de déco&&er!
Je vais aller me coucher un peu pcq fatiguée, pcq trop de travail cette nuit.

La Lna


. - zeroundemi - 06/10/2023

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RE: Ad OHMinem - Lna - 06/10/2023

Boom, le téléphone a sonné.
Debout tout le monde.

(06/10/2023-10:59:36)zeroundemi a écrit :
(06/10/2023-09:43:44)œdicnème a écrit : Les transistors bipolaires sont-ils commandés par leur courant de base ou par leur tension entre base et émetteur ?

Un semi-conducteur doit être soumis à une tension (différence de potentiel) suffisamment élevée (*)
Pour surmonter la barrière de potentiel qui empêche le passage du courant

Après, il y en a qui ont découvert l'effet tunnel. Arf !

Pour aller dans votre sens : vous devriez examiner la triboélectricité
Ou, ce qui revient au même, le comportement de l'électricité dans les matériaux isolants
Ce qui aboutit à s'intéresser à la façon dont tout cela se termine, Cf. l'allusion au tube à décharge, suppresseurs de surtensions, e tutti quanti

(*) c'est la présentation la plus communément admise, à ce qu'il me semble

Donc je regarde les nouvelles.

Non les tuto se pilotent en I.
Les techno xFET en V, tubes électroniques aussi.

La Lna


. - zeroundemi - 06/10/2023

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RE: Ad OHMinem - œdicnème - 06/10/2023

(06/10/2023-10:59:36)zeroundemi a écrit :
(06/10/2023-09:43:44)œdicnème a écrit : Les transistors bipolaires sont-ils commandés par leur courant de base ou par leur tension entre base et émetteur ?

Un semi-conducteur doit être soumis à une tension (différence de potentiel) suffisamment élevée (*)
Pour surmonter la barrière de potentiel qui empêche le passage du courant
Dans ce cas, pour un transistor bipolaire, il y aurait deux modes distincts de commande, d'abord par tension entre les electrodes B et E, puis ensuite par courant de base ?

Les simulations présentées ci-dessus montrent que (dans les mêmes conditions de tension d'alimentation, de température et de charge de collecteur) pour des courants collecteur identiques de 1 mA , les tensions Vbe sont égales à moins 0.1 mV près alors que leurs courants de base sont dans un rapport de 1/2.5.

On ne peut pas dire que la différence des gains en courants entre les deux transistors, et donc de leurs courants de base, se répercute sur les courants de collecteur.


. - zeroundemi - 06/10/2023

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RE: Ad OHMinem - jimbee - 06/10/2023

(06/10/2023-15:45:59)œdicnème a écrit : Dans ce cas, pour un transistor bipolaire, il y aurait deux modes distincts de commande, d'abord par tension entre les electrodes B et E, puis ensuite par courant de base ?
 

Pas vraiment distincts, une fois sorti du sombre tunnel, la résistance dynamique d'entrée du totor ( h11 ) devient
"presque constante" alors Vbe = h11 . Ib    ou plutôt   Ib = Vbe / h11     donc bien liés.... non ?


RE: Ad OHMinem - œdicnème - 06/10/2023

(06/10/2023-18:12:38)jimbee a écrit : Pas vraiment distincts, une fois sorti du sombre tunnel, la résistance dynamique d'entrée du totor ( h11 ) devient
"presque constante" alors Vbe = h11 . Ib    ou plutôt   Ib = Vbe / h11     donc bien liés.... non ?
Encore elle (l'incontournable loi d'Ohm) !

(06/10/2023-17:51:32)zeroundemi a écrit : Si j'arrive à vous suivre [...] 
Le schéma précédent montre que deux transistors de β différents
ont, mis dans exactement les mêmes conditions, des courants de collecteur 
égaux pour des tensions base-émetteur quasi égales tout en ayant des courants 
base-émetteur différents.  

Le fichier joint devrait aider à avoir sur le fonctionnement 
des transistors bipolaires une vue claire et peu contestable.
C'est un extrait d'un texte de Barrie Gilbert 
(qui n'est pas n'importe qui
https://vintagetek.org/barrie-gilbert/ )
et qu'à l'évidence ne connaissent pas des milliers d'auteurs
d'articles ou de vidéos "traitant" le sujet.

https://uploadnow.io/f/dqfHCGN
7 jours de disponibilité