pvrx a écrit :Ne pas confondre rapport signal sur bruit, c'est-à-dire rapporté au signal max, et niveau de bruit en dBV, tout de même.

La densité de bruit thermique aux bornes d'une résistance R (bruit de Johnson), exprimée en nanoVolts par racine de Hz, est de 0,13 x racine de R.
Sur la plage de fréquence 20-20000 Hz, le bruit thermique propre de cette résistance est de 18 nV x racine de R.
Si on considérait que l'impédance d'une cellule était assimilable à une résistance, ce qui est très simplificateur :
Pour une MM de 47000 Ohms produisant 5 mV, le S/N max théorique sera de 62 dB.
Pour une MC de 100 Ohms produisant 0,5 mV, ce chiffre passerait à 89 dB.

Le préampli évoqué ne dégrade donc le S/N de la cellule elle-même que de 3 dB.

Pascal

jsilvestre a écrit :est-ce que tu ne confondrais pas impédance des cellules et impédances de charge des cellules?

pvrx a écrit :

jsilvestre a écrit :est-ce que tu ne confondrais pas impédance des cellules et impédances de charge des cellules?

J'ai repris l'impédance propre des specs d'une cellule MM et d'une cellule MC, et on entre dans un ampli de tension. L'impédance d'entrée de ces amplis est donc toujours très significativement supérieure à celle de la cellule elle-même.
Le bruit à prendre en compte est donc effectivement celui que j'ai indiqué, en première approximation.

Pascal