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RE: Etude d'un étage de sortie classe AB - jacquese - 10/03/2026
Ca cascode partout sur ce schéma SUSY !
Le mode de gestion du bias est un simple. C'est un "double VBE multiplier"
Ca fonctionne en boucle ouverte.
J'ai regardé vite fait mais je ne vois pas de CR pour la gestion du mode commun.
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB - Dominique - 11/03/2026
Bonjour jacquese,
(10/03/2026-22:14:14)jacquese a écrit : J'ai regardé vite fait mais je ne vois pas de CR pour la gestion du mode commun.Voici ce que j'ai trouvé sur le site.
- Ça dépasse largement mes connaissances sur le sujet pour commenter...
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB - J-C.B - 11/03/2026
(10/03/2026-12:11:10)jacquese a écrit : Bonjour JCB,
Pas encore accès la page en question.
Sinon, concernant le mien, il y a effectivement deux choses perfectibles qui rend le circuit trop dépendant à la température et pour lequel des pistes étaient et sont toujours en réflexion :
- le courant de base des transistors de puissance (Q13 et Q14) vient perturber les équilibres. Un remplacement par un MOSFET règle le problème car au repos, le courant est nul, mais on perd en excursion car son Vgs est en série avec la tension de sortie de l'étage
- le fonctionnement "en miroir de courant" de Q1/Q3 et Q2/Q4 au repos n'est pas top du point thermique car les Vce sont bien différents. Il est envisagé de passer à un montage à trois transistors et une diode pour aligner parfaitement les Vbe et ce qui va permettre de réduire la dissipation thermique du Q2 et Q4 en dynamique.
Avec ses dispositions, on doit pouvoir descendre 20mA de courant de repos.
Bonjour Jacquèse,
Je ne retrouve pas la copie du schéma russe. Comme à l'accoutumée, j'ai du broder dessus pour aboutir à un schéma qui me convienne. A savoir un ampli susceptible d'être utilisé pour l'asservissement en pression d'un HP.
Ci joint un schéma possible.
Ci joint aussi un zoom sur le courant traversant la charge dans la zone de recouvrement et
dont la magnitude max varie de 0 à 9A par pas de 3.6A ce qui signifie que 3 des relevés à plus forte pente sont en régime saturé.
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB - jacquese - 11/03/2026
Bonjour JCB,
Ah oui, c'est assez proche sur le principe de ma proposition. La mise en œuvre est différente sur ton schéma où tu es sur une sortie en émetteur commun alors que de mon coté c'est une sortie à collecteur commun.
Je vais simuler ce beau schéma.
Bonne journée
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB - J-C.B - 11/03/2026
Jacquèse,
Afin de gagner du temps, je peux te faire parvenir le fichier .Cir (Micro-cap V12).
En ce qui concerne le type de fonctionnement des transistors, je pense qu'il y a confusion. De ton côté , ils sont en émetteur commun ( sortie sur les collecteurs) et du mien en collecteur commun (sortie sur les émetteurs). C'est la borne commune aux réseaux d'entrée et de sortie des signaux du montage qui détermine le type de fonctionnement du bjt ou/et xFet. (Voir les quadripôles correspondants)
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB - jacquese - 11/03/2026
Tout à fait exact : Je confonds toujours !
Je t'envoie un mp pour l'envoie de ton fichier CIR et te remercie par avance !
Bonne soirée
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB - J-C.B - 18/03/2026
Bonjour Jacquese,
Que devient ce projet ?
Crdt
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB - jacquese - 18/03/2026
Bonjour Jean-Claude,
Oui je bosse toujours sur cet sujet.
Je viens de finir une V2 du schéma qui semble fonctionner avec de belles performances :
C'est le même principe mais le schéma a été simplifié tout en étant encore meilleur.
Fonctionne très bien en classe B ou AB (on évite le débat hein !).
L'indépendance à la température est très bonne ce qui permet un fonctionnement avec un bias inférieur à 10mA
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB - jacquese - 18/03/2026
Les mesure réalisée sur cette V2...
1/ Indépendance du circuit à la température
Le bias bouge de moins de 1.5mA entre 20 et 100°C. Bon résultat à mitiger tout de même par le fait les transistors Q11 et Q8 voient leur dissipation modulée par le signal audio. Il faut prévoir des transistors moyenne puissance pour augmenter l'inertie thermique de la puce. Pour la simulation, des BD135-16 et BD136-16 ont été utilisés.
La température des transistors de puissance ne joue que sur les Vbe de Q7 et Q12, c'est tout à fait négligeable.
L'offset de sortie varie de 100uV entre 20 et 100°c.
2/ Bande passante
C'est très large.
La tension à 15MHz est compensée par C1. Je pense qu'on pourrait s'en passer dans les faits
3/ Fonctionnement interne (Transcient à la puissance Max de 100W crête)
Là on est clairement en classe B.
Un point important est comment l'étage se comporte vis à vis de la source : on voit que le courant consommé à l'entrée est assez chahuté tout en restant faible. Typique des problèmes des classes de fonctionnement linéaire en dehors de la classe A. Ca reste quand même modeste vis à vis des valeur : 2mA pour une modulation à 100W. Il faut juste avoir ça en tête lors de l'intégration dans un circuit d'amplification de puissance
4/ Distorsion
On commence par la distorsion en fonction la fréquence à mi-puissance (50W):
La disto est stable entre 20Hz et 10KHz: THD total à 0.02%
Ensuite des mesures de distorsion en fonction de la puissance :
Mesures à 1KHz réalisées à 0.1, 0.5, 1 et 10V Là on voit bien les problèmes induits par la classe B : il y a une valeur de puissance correspondant à un signal tournant proche du point de commutation. C'est la courbe verte la plus élevée, qui correspond ici à 0.06% de distorsion, pour signal de 0.5V crête. En dessous ca baisse; au dessus ca baisse.
Pour mettre en évidence cette valeur de tension critique, plusieurs mesures on été faites à faible niveau, entre 0.1 et 0.7V :
Le max est à 0.08% de disto pour 0.3V en sortie
Clairement, la différence avec la classe A se joue ici. Dans la classe A, la distorsion diminue avec le niveau du signal (aucune distorsion au croisement)
RE: Etude d'un étage de sortie classe AB - J-C.B - 18/03/2026
Super,
Pour l'axe des ordonnées de la distorsion, après un double clic sur le graphe "HARM" qui génère une nouvelle fenêtre, il faut sélectionner [Scope]. la fenêtre se transforme. Dans l'espace "View" tu ne conserves que "Horizontal Axis Grids" et "Vertical Axis Grids".
Tu y a accès aussi lors de la sélection [Analys] ->Harmonic Distorsion ->Limits ->[Properties] -> [Scope] ....... (Ouf)
Pour le reste j'ai travaillé sur ta version 1 et l'ai fait précéder d'un AD844. Cela fait un ampli qui commence à être performant, de structure totalement symétrique, qui distord peu (0,6 m% pour un swing proche des alimentations), stable en température avec un faible écart de courant de repos entre 20 et 100°C, et une saturation douce. Je peux, suivant ton choix, te le faire parvenir, le placer sur le forum, ou le garder comme bon souvenir.
Crdt