J'aimerais pouvoir étudier la note d'application 4.1 mais je n'arrive pas à mettre le clic dessus. Quelqu'un aurait-il ce fascicule Siemens sur une de ces étagères ?
Joli... Dans ce databook Siemens, on trouve un code de désignation pour semiconducteurs discrets. BUZ : Silicon, power switching.
En fait, j'aimerais prendre connaissance de cette note d'application car citée ici et là.
JM Plantefeve a écrit :J'aimerais pouvoir étudier la note d'application 4.1 mais je n'arrive pas à mettre le clic dessus. Quelqu'un aurait-il ce fascicule Siemens sur une de ces étagères ?
Merci à vous, Jean-Marc.
Bonjour Jean-Marc,
pas de plan clic à te donner mais je suis tombé récemment sur des mos à déplétion genre maousse costauds qui feraient de magnifiques cascodes flottants de puissance pour peu d'efforts:
pas de plan clic à te donner mais je suis tombé récemment sur des mos à déplétion genre maousse costauds qui feraient de magnifiques cascodes flottants de puissance pour peu d'efforts:https://www.littelfuse.com/products/powe...de/d2.aspx Comme ils n'existent qu'en canal N la structure à deux canal N de la note d'application serait juste parfaite...
Merci Joël !
Des cascodes flottants de puissance... je ne vois pas immédiatement la structure de schéma associée, j'y réfléchis.
Et je veux bien un nouveau coup de pouce !
JM Plantefeve a écrit :Des cascodes flottants de puissance... je ne vois pas immédiatement la structure de schéma associée, j'y réfléchis.
Et je veux bien un nouveau coup de pouce !
Jean-Marc.
Bonjour Jean-Marc
c'est tout simple, comme avec des jfets. Le VCE est égal au VGS, 1 à 2 volts suivant le courant et les mos utilisés.
Le bipolaire peut aussi être un mos.
Un piège peut se cacher dans les capacités parasites vite importantes avec les gros mos d'autant plus que leur tension vds est faible.