Bonjour Jean Marc, oui en fait il faudrait que les sources de tension soit référencé à la masse, mais LTspice n'aime pas du tout, il voit des boucles
Du coup, est ce qu'il faut absolument utiliser des sources de tension pour polariser les Mosfet dans cette simulation ou on peut utiliser des résistances ?
04/09/2018-22:44:19 (Modification du message : 04/09/2018-22:57:20 par UltimateX86.)
RE: Mosfet Circlotron
J'ai utilisé mon application pour réaliser 16 187 040 simulations hihi
Résultats :
1) augmenter la R de 100 à la masse augmente la distorsion, j'ai fais varier de 100 à 1000 par pas de 100
2) diminuer le courant de repos de l'étage d’entrée diminue la distorsion, j'ai fais varier de 2 à 2.6 par pas de 0.2
3) la distorsion est plus basse lorsque le VAS a un courant très bas OU très haut (2ma vs 15mA)
4) généralement distorsion diminue avec l'augmentation du courant des mosfet, à 1w comme à 100W, sauf à mi puissance...
08/09/2018-15:06:17 (Modification du message : 14/09/2018-18:53:40 par thierry38..)
RE: Mosfet Circlotron
JM Plantefeve a écrit :thierry38,
Non non,c'est ce qu'on appelle du mode commun.
"Non non", cela veut-il dire que le spectre de distorsion est le même en Vout1 qu'en Vout_diff ? Sébastien à retirer le fichier jfet_1.1A.asc, mais avec la version bjt, ce n'est pas le cas.
Il faut juste comprendre que la(les) phase(s) des harmoniques sont interdépendantes en différentiel.
Et donc ?
On ne peut pas additionner et soustraire de façon algébrique.
!? Vout_diff est le résultat d'un calcul vectoriel.
Le fait est qu'un montage en composants discrets (disparité des transi,T° légèrement différente) ne donnera jamais en pratique une annulation des distorsions (phase et mag différentes des Hn).
à la limite,des puces intégrées (lm3886,tda7293 ou autres) ou les transistors sont gravés sur le même substrat,Même T°,courte distance,enrichissement égal).
On pense bien qu'un plancher de bruit à -160dB est une utopie.
01/04/2019-15:08:01 (Modification du message : 01/04/2019-15:11:20 par UltimateX86.)
RE: Mosfet Circlotron
Bonjour,
Deux nouveaux à inspiration Kaneda
Même contre réaction en courant que les précédent mais avec VAS différentiel (fort courant) et tension supérieur de 10V par rapport à l'étage de sortie, seul façon d'avoir une distorsion "correct" à puissance maximal et faible charge
09/04/2019-12:43:12 (Modification du message : 09/04/2019-14:30:29 par UltimateX86.)
RE: Mosfet Circlotron
Bonjour,
En simulation j'avais augmenté R5 et R6, (r de drain) parce que ça diminuait la distorsion de l'ensemble, mais ce n'est pas forcement une bonne chose d'appliquer un haute impédance pour l'étage suivant qui a une capacité d'entrée.
Plus de double alimentation, l'alim flottante suffis. (Joe Berry)
Plus de CSS sur l'étage d'entrée, retour à la polarisation auto comme le Zenquito, UGS, avec la même polarisation que le F5 et le BA3 à 75% de l'IDSS.
J'ai diminué la tension d'alim des deux premiers étage pour pouvoir utiliser des TO92 même en vas (200mW c'est correct ?)
J'aimerais commencer les tests en RÉEL mais avant ça il faut que je sache si je ne suis pas entrain de faire un SUPER OSCILLATEUR , je ne connais pas du tout cette partie.... quelqu'un pourrait m'aider à vérifier sa stabilité en simulation ?