16/08/2017-22:10:11
RE: Le retour de la distorsion thermique
Bonjour Joel,
Oui j'ai fait des mesures en utilisant des transistors différents un peu partout.
- Paire de NPN du bas : BC550B (Beta de 300) et BC560C (beta de 560)
- Paire PNP du haut : BC560C et BC557C
- Paire de JFET : 2SK241GR et 2SK241Y (modèles différents)
Résultat :
- Disto : H2 passe 0.0005% à 0.001%, H3 quasi inchangé,
- Bande passante : identique
- Slew rate : toujours 20ns, même forme sans accident
- réplication points de polarisation : même superposition à un petit décalage près.
- Distorsion thermique : même neutralisation
- offset : +150mV
la seul vraie victime c'est l'offset. Mais justement l'appairage doit être fait sur ce critère.
Autre simulation avec deux FET totalement différents : BF247C et 2SK241GR. H2 encore plus élevée (0.004%) et offset de 0.7V, mais là on est vraiment dans un cas bien pire que la dispersion dans le réel.
Donc circuit assez bien tolérant à la dispersion des composants.
En utilisant des transistors double appairés on doit obtenir un circuit très performant. Par exemple LSK489 pour les FET et SSM pour les bi-polaires.
Ce circuit va être la brique de base de mon DAC-Préampli-filtre deux voies. Etude de l'alim en cours et PCB à l'unité prévu pour construire différentes architectures câblées en l'air.
Jacques
Oui j'ai fait des mesures en utilisant des transistors différents un peu partout.
- Paire de NPN du bas : BC550B (Beta de 300) et BC560C (beta de 560)
- Paire PNP du haut : BC560C et BC557C
- Paire de JFET : 2SK241GR et 2SK241Y (modèles différents)
Résultat :
- Disto : H2 passe 0.0005% à 0.001%, H3 quasi inchangé,
- Bande passante : identique
- Slew rate : toujours 20ns, même forme sans accident
- réplication points de polarisation : même superposition à un petit décalage près.
- Distorsion thermique : même neutralisation
- offset : +150mV
la seul vraie victime c'est l'offset. Mais justement l'appairage doit être fait sur ce critère.
Autre simulation avec deux FET totalement différents : BF247C et 2SK241GR. H2 encore plus élevée (0.004%) et offset de 0.7V, mais là on est vraiment dans un cas bien pire que la dispersion dans le réel.
Donc circuit assez bien tolérant à la dispersion des composants.
En utilisant des transistors double appairés on doit obtenir un circuit très performant. Par exemple LSK489 pour les FET et SSM pour les bi-polaires.
Ce circuit va être la brique de base de mon DAC-Préampli-filtre deux voies. Etude de l'alim en cours et PCB à l'unité prévu pour construire différentes architectures câblées en l'air.
Jacques